GaN LED是屬於直接能隙之半導體材料， 其能隙為3.4ev， 而AlN為6.3ev， InN為2.0ev，將這幾種材料做成混晶時，可以將能隙從2.0ev連續改變到6.3ev，因此可以獲得從紫外線、紫光、藍光、綠光到黃光等範圍的顏色。

目前最成功的GaN元件有高亮度藍光及綠光LED，因GaN高亮度藍光、綠光LED的開發成功，使得戶外全彩LED顯示器及LED交通號誌得以實現，各種LED的應用也更加廣泛。 以高亮度藍光LED激發螢光物質（phospher）可以產生白光，其低耗電及高壽命的特性，未來有可能取代一般照明用的白熾燈泡，GaN LED的市場潛力十分雄厚。