所謂low-k（低介電值）就是尋找介電常數較小的材料，以降低導線間電流的互相干擾作用，進而提升IC內導線的傳輸功能。

由於電路信號傳遞的快慢是決定在電阻(R)與電容(C)乘積，RC乘積值越小，速度就越快。因此，降低電容值亦可改善傳輸速度。而電容值則與IC上金屬線間絕緣介電材料的介電係數K相關，K越小，電容值越小。

一直作為金屬導線間絕緣材料的化二氧化矽(SiO2)，介電係數約為3.9~4.5間，然當製程不斷推進，二氧化矽己逐漸接近應用上的極限。