是將某種材質自晶圓表面上移除。為了要保留未曝光的部分以製作半導體線路，必須將已曝光的部分從晶圓上除去，蝕刻製程的功能，就是要將進行微影製程前所沈積的薄膜，把沒有被光阻覆蓋及保護的部分，以化學反應或是物理作用的方式加以去除，以完成轉移光罩圖案到薄膜上面。

蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)與乾蝕刻(dry etching)兩類。濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中，或將化學溶淬噴灑至晶片上，經由溶液與被蝕刻物間的化學反應，來移除薄膜表面的原子，以達到蝕刻的目的。乾式蝕刻（又稱電漿蝕刻）是目前最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，藉由電漿能量來驅動反應。