是將ｎ型（如磷）或ｐ型（如硼）雜質滲入固體矽的一種方法，是傳統的摻雜技術。是在800度以上的高溫下，將具移動力的雜質，由高濃度區移往低濃度區，使雜質原子擴散進入矽片內部。