為TFT LCD的製程技術之一，分為非晶矽與多晶矽兩種。而多晶矽又可再分為低溫多晶矽與高溫多晶矽兩種。

多晶矽TFT-LCD液晶面板每個TFT電晶體的反應時間比非晶矽面板快10倍以上，同時因為電子的移動速度比非晶矽快，因此在相同的解析度下，多晶矽面板的寬度可以縮小。多晶矽TFT-LCD的開口率也比非晶矽TFT-LCD面板高，達70%以上。因此在相同的發光亮度下，多晶矽液晶面板可以採用低瓦數的背光源，達到低耗電量的要求（若採用同瓦數的背光源，多晶矽可以提供較非晶矽更高發光亮度的液晶面板）。此外，多晶矽液晶面板的TFT電晶體的面積可以做得比非晶矽小，可提高面板的開口率，並可提供高精細、高解析度的液晶面板。多晶矽面板的驅動IC可以直接製作在玻璃基板上，少掉將驅動IC與液晶面板相結合的組裝手續，因而可以縮小面板的厚度約10%∼20%，達成小型化的產品要求。