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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。金屬氧化半導體場效電晶體。 |
| 是FET兩種主要形式之一。是在源極（Source）區與洩極（Drain）區的半導體基板表面覆蓋在一層薄薄的二氧化矽（SiO2）作為絕緣層，再把金屬沈積在氧化層上形成元件的閘極（Gate）而製成。MOSFET又可分為兩種：增強式（Enhancement）與空乏式（Depletion）。增強型（Enhancement，簡稱EMOS），是在MOSFET元件中增加通道載子，加強通道（洩極與源極之間的導通路徑）的傳導性。空乏型（Depletion，簡稱DMOS），則是在MOSFET元件中減少通道載子，降低通道的傳導性。 |
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